高能物理研所本就研核能物理等先进技术地方,在布一楠前就着手开始了国产光刻机制造。
但因工艺水平和理论限制一直大突破。
布一楠想造光刻机,邓玉峰就将高能物理研所事就将光元部分交给了对方,他们本就一些设计理念和思路在,加上布一楠技术至此也花了将近两个月才搞定些。
只想到组装光刻机过程时候,布一楠&xeoo现自己遗漏了一种物品。
智者千虑必一失,她彻底忘记了东西也卖,得现造!
光刻胶。
如果把光刻机形容成半导体行业皇冠话,光刻胶就皇冠上最璀璨明珠。
虽然光刻胶仅占半导体材料行业,但光刻胶芯片制造行业中最核心、最关键三大件一。
硅片,第一;光刻机第,第三就光刻胶。
整个晶圆制造过程中,光刻耗时约占整个工艺o-o。
光刻胶(photoresist)又叫光阻剂光阻。
光刻胶一种能把光影化现实胶体,着正胶负胶分。
其中正胶一种见光死材料。
但在暗中&xeoo异常坚挺,被特定波长光线照就会疲软,继而能被溶解清除。
负胶则和正胶刚好相反。
所光刻技术就利用光刻胶种光敏,雕刻芯片。
(目前全球五大光刻胶生产厂家其中四家企,一家美企)
例如,们要造一个沟槽式内存芯片(dra,先在暗中给硅片涂一层光刻胶,再照上光掩膜进行曝光,让光线按照光掩膜上设计好坑位通过照在光刻胶上。
些胶体就会疲软,随即被溶剂洗掉,而剩余坚挺光刻胶成了保护膜,接着用能腐蚀硅溶剂,把光刻胶保护坑位区域腐蚀掉一层,最再把光刻胶保护膜清除,就完成了大量深坑确雕刻。
同时种对硅片定向做减法腐蚀,就刻蚀(etbsp;刻蚀、沉积、注入粒子就光刻基本步骤。
而硅片每一次光刻又要过个步骤,个烘焙。
光刻步骤:
清洁及表面处理
用去离子水清洗,了给硅片做增黏处理,会用六甲基硅胺烷气体(hs)熏蒸硅片,使硅片表面充分脱水。
旋转涂胶
在硅片中间旋转滴入硅刻胶,让硅片高转动把胶体摊开,在以较慢度旋转,让胶体厚度稳定,接着去边处理,去掉边缘一圈光刻胶。
前烘
涂胶机械臂拿出硅片放入烤箱热板上进行烘焙,目减少光刻胶中溶剂量,让其更加浓稠坚固,提高与硅片附着稳定,一般oo°左右温度烤一分钟,因光刻胶耐高温。
对准和曝光
光掩模、透镜组和硅片工作台密对准和调频,光元放光,移动硅片台让硅片序曝光。
烘(peb)
通过加热让光刻胶中光化学反应充分完成,可以弥补曝光强度足问题,同时减少光刻胶显影因驻波效应产生一圈圈纹路。
显影冲洗
烘把曝光部分溶解清除,光掩膜上图像就复现在了光刻胶上。
再具体一些就用去离子水润硅片,把显影(四甲基氢氧化铵)水溶均匀喷淋在光刻胶表面,让光刻中被曝光部分充分溶解,最用去离子水冲走(纳米以下制程,因尺寸太小溶解残留物比表面积过大,黏附力强,需要加喷氮气)
坚膜烘焙
让保护膜更坚挺,更加得刻蚀。
测量检查
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